Storing Data: To write data, a high voltage (around 15-20V) is applied to the control gate above the floating gate. This causes electrons from the transistor’s channel (the substrate) to “tunnel” through the thin oxide barrier via a quantum mechanical process called Fowler-Nordheim tunneling. The electrons get trapped in the floating gate, creating a negative charge. The presence and amount of this charge shift the cell’s threshold voltage—the voltage needed to turn the transistor on during a read operation.
19.裘愉涛 国家电网浙江省电力有限公司杭州供电公司电力调度控制中心首席专家
。业内人士推荐体育直播作为进阶阅读
Иран назвал путь к прекращению войны14:05
Хронический недосып, нервное истощение, депрессия:почему постоянно хочется спать и как избавиться от этого состояния?2 октября 2022